非易失性存储器件及其操作方法和存储系统

发明专利有效专利

申请号：
CN201811548865.6
IPC分类号：G11C16/08;G11C16/10;G11C16/34;G11C29/42
申请日期：
2018-12-18
申请人：
三星电子株式会社

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著录项信息

专利名称	非易失性存储器件及其操作方法和存储系统
申请号	CN201811548865.6	申请日期	2018-12-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-23	公开/公告号	CN110047543A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/08 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/08 地址电路；译码器；字线控制电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;8;;;G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;6;/;3;4;;;G;1;1;C;2;9;/;4;2查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	金泽寿;朴赞益;申岘升;蒋尚焕
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	赵南;张帆

摘要

一种非易失性存储器件及其操作方法和存储系统。所述非易失性存储器件包括：存储单元阵列，其包括多个非易失性存储单元；页缓冲器电路，其通过多个位线连接到存储单元阵列；计算电路，其配置为基于具有第一尺寸的计算窗口来执行对信息比特和权重比特的计算，信息比特和权重比特包括在用户数据集中，存储单元阵列配置为存储所述用户数据集，计算电路还配置为通过页缓冲器电路接收所述用户数据集；以及数据输入/输出电路，其连接到计算电路，其中，计算电路还配置为响应于计算电路完成对所有信息比特和权重比特的计算，向数据输入/输出电路提供输出数据集，并且其中，所述输出数据集对应于完成计算的结果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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