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用于少子寿命测量的硅片表面处理方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210140637.1
  • IPC分类号:H01L21/304;H01L21/02;G01R31/26
  • 申请日期:
    2012-05-08
  • 申请人:
    常州天合光能有限公司
著录项信息
专利名称用于少子寿命测量的硅片表面处理方法
申请号CN201210140637.1申请日期2012-05-08
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-10-03公开/公告号CN102709170A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/304
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IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人常州天合光能有限公司申请人地址
江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人常州天合光能有限公司当前权利人常州天合光能有限公司
发明人王梅花;张驰;熊震;付少永
代理机构常州市维益专利事务所代理人王凌霄
摘要
本发明涉及一种用于少子寿命测量的硅片表面处理方法,包括以下步骤:1)粗抛:利用物理方法抛光原生硅片,去除硅片在切割过程中产生的损伤层;2)精抛:将粗抛后的硅片采用的抛光液进行精抛,抛光液为粒径尺寸0.4μm-1μm的金刚砂悬浮液,抛光后表面粗糙度Ra为:0.02μm-0.06μm,去除步骤1残留的微损伤层;3)清洗:将精抛后的硅片用去离子水清洗,去除残留的抛光液后烘干;4)漂洗;5)干燥;6)钝化。本发明的有益效果是:通过合理的物理方法,提高硅片抛光质量,并结合漂洗钝化工艺,使得测量结果更接近体于硅片的体寿命,提高了少子寿命的测试精度。

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