薄膜晶体管阵列基板及其维修方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810101993.6
IPC分类号：H01L27/12;H01L23/525
申请日期：
2008-03-14
申请人：
北京京东方光电科技有限公司

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著录项信息

专利名称	薄膜晶体管阵列基板及其维修方法
申请号	CN200810101993.6	申请日期	2008-03-14
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-09-16	公开/公告号	CN101533844
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;5查看分类表>
申请人	北京京东方光电科技有限公司	申请人地址	北京市经济技术开发区西环中路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京京东方光电科技有限公司	当前权利人	北京京东方光电科技有限公司
发明人	郭建;周伟峰;明星
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	刘芳

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其维修方法，其中包括栅线、信号线和多个亚像素单元，每个亚像素单元包括像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极与所述像素电极电连接，其中还包括：导电物，用于维修时连接相同颜色的相邻亚像素的像素电极，所述导电物设置于所述亚像素单元的栅绝缘层与信号绝缘层之间。方法其中包括：切断不良亚像素单元的像素电极与薄膜晶体管之间的电连接；将相邻的不良亚像素单元和正常亚像素单元的像素电极，在与导电物相重叠的位置进行击穿融化。通过本发明，可以使不良的亚像素单元维修成与周围相邻亚像素单元具有相同的灰度，从而实现同样的显示灰度效果，减小了暗点或亮点对显示效果的影响，提高了显示质量。

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