控制碳纳米管生长密度的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03134986.2
IPC分类号：C01B31/02;C23C16/26;C23C14/00
申请日期：
2003-09-30
申请人：
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	控制碳纳米管生长密度的方法
申请号	CN03134986.2	申请日期	2003-09-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-04-06	公开/公告号	CN1603231
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/02 （转入C01B 32/05，C01B 32/15-C01B 32/198）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;0;2;;;C;2;3;C;1;6;/;2;6;;;C;2;3;C;1;4;/;0;0查看分类表>
申请人	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司,鸿海精密工业股份有限公司	当前权利人	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司,鸿海精密工业股份有限公司
发明人	张庆州
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种控制碳纳米管生长密度的方法，该方法包括以下步骤：提供一基底；在基底表面形成一保护层，该保护层为金属氮化物，其厚度为20～80纳米；在保护层表面形成一催化剂层；将形成有保护层及催化剂层的基底放入反应炉内，退火处理；通入碳源气体，生长碳纳米管。本发明通过在基底上形成一保护层，防止催化剂在退火还原过程中与基底反应，保证催化剂颗粒分布密度均匀，从而生长出分布密度均匀的碳纳米管。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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