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光刻投射装置以及器件制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN03140753.6
  • IPC分类号:G03F7/20;G03F9/00;G06F9/00;H01L21/027
  • 申请日期:
    2003-05-08
  • 申请人:
    ASML荷兰有限公司
著录项信息
专利名称光刻投射装置以及器件制造方法
申请号CN03140753.6申请日期2003-05-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2003-12-17公开/公告号CN1461976
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0;;;G;0;3;F;9;/;0;0;;;G;0;6;F;9;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人ASML荷兰有限公司申请人地址
荷兰维尔德霍芬 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人ASML荷兰有限公司当前权利人ASML荷兰有限公司
发明人J·海恩策
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人崔幼平
摘要
用于脉冲辐射源的控制系统是一个最低阶的闭环控制器,优选地,首先实现无差拍控制。在光刻装置中用于脉冲辐射源的性能指示量基于在靶部和实际脉冲能量之间的误差的移动平均值(MA)和移动标准偏差(MSD)。归一化指示量由下式给出:见右下式(I)和:其中Epref(i)表示和Eperr(i)对于一点i每一脉冲的参考能量和每一脉冲的能量误差。并且:见右下式(II)。

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