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一种导体-介质复合目标与环境电磁散射快速计算方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011623614.7
  • IPC分类号:G06F30/20;G06F111/10
  • 申请日期:
    2020-12-31
  • 申请人:
    中国人民解放军空军工程大学
著录项信息
专利名称一种导体-介质复合目标与环境电磁散射快速计算方法
申请号CN202011623614.7申请日期2020-12-31
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-30公开/公告号CN112733347A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F30/20IPC分类号G;0;6;F;3;0;/;2;0;;;G;0;6;F;1;1;1;/;1;0查看分类表>
申请人中国人民解放军空军工程大学申请人地址
陕西省西安市灞桥区长乐东路甲字1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国人民解放军空军工程大学当前权利人中国人民解放军空军工程大学
发明人邹高翔;童创明;秋党庆;孙华龙;彭鹏;宋涛;王童
代理机构北京盛询知识产权代理有限公司代理人张海青
摘要
本发明提供一种导体‑介质复合目标与环境电磁散射快速计算方法,对目标及环境剖分,得到超低空导体‑介质复合目标与环境复合散射模型,并将导体‑介质复合目标归于JMCFIE‑MSIE区域,环境归于PO区域,获取PO区域表面电、磁流,得到环境表面感应电、磁场,并与雷达波作为导体‑介质复合目标照射源,得到表面电、磁流,得到导体‑介质复合目标区域表面感应电、磁场;将导体‑介质复合目标区域表面感应电、磁场与雷达波作为环境照射源,得到环境表面电、磁流,并得到环境表面感应电、磁场;进行反复迭代,当迭代误差小于特定值时停止,得到最终场。本发明可对超低空导体‑介质复合目标位于环境上方时的电磁散射特性进行快速准确计算。

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