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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体装置的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201980092932.4
  • IPC分类号:H01L21/28
  • 申请日期:
    2019-04-26
  • 申请人:
    三菱电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置的制造方法
申请号CN201980092932.4申请日期2019-04-26
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-19公开/公告号CN113678230A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人三菱电机株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三菱电机株式会社当前权利人三菱电机株式会社
发明人上野贵宽;南政史;中谷光德
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李洋;王培超
摘要
在半导体基板(1)之上涂覆下层抗蚀剂(2)。在下层抗蚀剂(2)之上涂覆上层抗蚀剂(3)。通过曝光和显影而在上层抗蚀剂(3)形成第1开口(4),在显影时,通过显影液还溶解下层抗蚀剂(2),而在第1开口(4)的下方形成宽度比第1开口(4)宽的第2开口(5),从而形成具有底切的帽檐状的抗蚀剂图案(6)。通过实施烘焙使上层抗蚀剂(3)热收缩,从而使上层抗蚀剂(3)的帽檐部(7)向上侧翘曲。在烘焙后,将金属膜(8)成膜于抗蚀剂图案(6)之上、和通过第2开口(5)暴露的半导体基板(1)之上。除去抗蚀剂图案(6)和抗蚀剂图案(6)之上的金属膜(8),残留半导体基板(1)之上的金属膜(8)来作为电极(9)。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供