半导体散热板用Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201280015801.4
IPC分类号：C22C27/04;C22C1/04;C22C9/00;H01L23/373
申请日期：
2012-03-19
申请人：
株式会社东芝;东芝高新材料公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体散热板用Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置
申请号	CN201280015801.4	申请日期	2012-03-19
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-12-11	公开/公告号	CN103443314A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C22C27/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C22 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理 C22C 合金（合金的处理入C21D、C22F） C22C27/00 铼或未包括在C22C 14/00或C22C 16/00组中的难熔金属基合金〔2〕 C22C27/04 钨或钼基合金〔2〕	IPC分类号	C;2;2;C;2;7;/;0;4;;;C;2;2;C;1;/;0;4;;;C;2;2;C;9;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3查看分类表>
申请人	株式会社东芝;东芝高新材料公司	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝,东芝高新材料公司	当前权利人	株式会社东芝,东芝高新材料公司
发明人	森冈勉;青山齐
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	刘凤岭;陈建全

摘要

本发明涉及一种半导体散热板用Mo烧结部件，其由含有10～50质量%铜的钼合金材料构成，其特征在于：所述钼合金材料的钼晶体的平均粒径为10～100μm，每500μm×500μm单位面积的Mo晶体的面积比的偏差在平均值的±10%以内。由于Mo和Cu的存在比例的偏差较小，因而可以得到热膨胀率等特性优良、且热膨胀率、强度等优良的半导体散热板用Mo烧结部件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供