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纵型有机FET及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200480023853.1
  • IPC分类号:H01L51/00;H01L29/80;H01L29/78
  • 申请日期:
    2004-08-23
  • 申请人:
    松下电器产业株式会社
著录项信息
专利名称纵型有机FET及其制造方法
申请号CN200480023853.1申请日期2004-08-23
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-09-27公开/公告号CN1839490
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/00IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;9;/;8;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人松下电器产业株式会社申请人地址
日本大阪 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人松下电器产业株式会社当前权利人松下电器产业株式会社
发明人宫本明人
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳
摘要
本发明提供一种抑制由有机半导体构成的活性层的分子取向、提高载流子迁移率的纵型有机FET。本发明涉及基板上至少设有源极层、漏极层、栅电极和活性层,具有源极层、活性层和漏极层依次叠层的结构的纵型有机FET,其特征在于:(1)上述源极层和漏极层实质上与基板表面平行地配置;(2)上述源极层和漏极层由导电性部件构成;(3)上述活性层实质上由以4价或6价的元素作为中心原子、并且分子面的上下方向分别配位有配位基X1和X2的酞菁类化合物构成;(4)上述化合物以上述化合物的各分子的分子面与源极层和漏极层中的至少一方成为平行状态的方式叠层。

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