一种双波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统

发明专利无效专利

申请号：
CN201610325219.8
IPC分类号：G01T1/00
申请日期：
2016-05-17
申请人：
中国工程物理研究院电子工程研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种双波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统
申请号	CN201610325219.8	申请日期	2016-05-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2016-07-27	公开/公告号	CN105807305A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01T1/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01T 核辐射或X射线辐射的测量（材料的辐射分析，质谱测定法入G01N 23/00用以测定辐射或粒子的存在、强度、密度或能量的管入H01J 47/00） G01T1/00 X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量（G01T 3/00，G01T 5/00优先）〔2〕	IPC分类号	G01T1/00查看分类表>
申请人	中国工程物理研究院电子工程研究所	申请人地址	四川省绵阳市919信箱52*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国工程物理研究院电子工程研究所	当前权利人	中国工程物理研究院电子工程研究所
发明人	孙鹏;龙衡;陈飞良;李倩;李沫;代刚;张健
代理机构	成都天嘉专利事务所（普通合伙）	代理人	蒋斯琪

摘要

本发明公开了一种双波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统，该系统包括双波长脉冲激光产生系统、脉冲激光双光路能量衰减与调节系统、测试与控制系统；本发明可同时产生532nm和1064nm的脉冲激光，并引入到双光路衰减和调节系统，两种波长激光在半导体器件中穿透深度不同，并通过物镜或扩束镜进行光斑聚焦或扩束，可对半导体器件灵活进行灵敏层和灵敏位置定位，有效弥补了现有单波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统的不足，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的进行抗辐射加固设计提供了有效手段。

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