加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

光刻胶形貌表征方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210448991.0
  • IPC分类号:G03F7/20
  • 申请日期:
    2012-11-12
  • 申请人:
    上海集成电路研发中心有限公司
著录项信息
专利名称光刻胶形貌表征方法
申请号CN201210448991.0申请日期2012-11-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-03-06公开/公告号CN102955378A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人上海集成电路研发中心有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高斯路497号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海集成电路研发中心有限公司当前权利人上海集成电路研发中心有限公司
发明人姚树歆;戴峻;储佳
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人吴世华;林彦之
摘要
本发明涉及半导体制造领域,公开了一种光刻胶形貌表征方法,测定光刻胶曝光区域侧壁斜率变化的拐点,并根据所述拐点将光刻胶侧壁划分为若干区间,通过测量每一区间顶部线宽、底部线宽及区间深度,计算得到该区间侧壁倾角,拟合各所述区间的侧壁倾角、区间深度得到所述光刻胶形貌。该方法所需的各种测量均为自上而下俯视进行的线宽测量,在表征过程中无需对待测晶圆进行切片,不进行断面扫描,能够实现对光刻胶侧壁形貌的精准表征、且不带来任何不可恢复性损伤,不仅可用于对光刻胶工艺能力的改善、验证,还适用于生产工艺过程中的质量控制,能够进一步保证光刻质量,有效提高器件集成度及工业成品率。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供