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具有硅通孔的半导体结构及其制作方法和测试方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410054035.3
IPC分类号：H01L23/544;H01L23/48;H01L21/66;G01R31/26;G01R31/02
申请日期：
2014-02-18
申请人：
联华电子股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有硅通孔的半导体结构及其制作方法和测试方法
申请号	CN201410054035.3	申请日期	2014-02-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-08-19	公开/公告号	CN104851875A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/544 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/544 加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;G;0;1;R;3;1;/;2;6;;;G;0;1;R;3;1;/;0;2查看分类表>
申请人	联华电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联华电子股份有限公司	当前权利人	联华电子股份有限公司
发明人	施学浩
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陈小雯

摘要

本发明公开了一种具有硅通孔的半导体结构及其制作方法和测试方法。具有硅通孔的半导体结构包含：一基底，而此基底具有一正面和一背面；一元件是设置于基底的正面上；一第一测试垫是设置于基底的正面并且电连结元件；至少一硅通孔贯穿基底；及一第二测试垫设置于基底的背面并且第二测试垫和硅穿孔电连结。

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