一种基于硅基的LED芯片封装方法及LED芯片发光器件

发明专利无效专利

申请号：
CN201210113628.3
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
申请日期：
2012-04-17
申请人：
上海半导体照明工程技术研究中心

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专利名称	一种基于硅基的LED芯片封装方法及LED芯片发光器件
申请号	CN201210113628.3	申请日期	2012-04-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-08-01	公开/公告号	CN102623619A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4查看分类表>
申请人	上海半导体照明工程技术研究中心	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路887弄78号5楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海半导体照明工程技术研究中心	当前权利人	上海半导体照明工程技术研究中心
发明人	李抒智;马可军
代理机构	上海三和万国知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	蔡海淳

摘要

一种基于硅基的LED芯片封装方法及LED芯片发光器件，属半导体器件领域。其在IC芯片封装生产线上对LED芯片进行封装：利用硅片作承载体，采用“键合”方式将LED芯片直接固定在硅片上；用液态玻璃在硅片表面及各个LED芯片之间形成绝缘层；对硅片置有LED芯片的一面进行抛光；采用“镀膜”法在固化后的玻璃以及LED芯片的表面制备连接电极；对硅片进行切割，得到LED发光器件或LED发光器件模块产品。其降低了LED封装成本，为现有集成电路IC芯片封装生产线的应用和使用扩展了一个全新的领域，特别适于大功率LED发光器件的生产，在相同外部环境条件或电源功率的情况下可输出更大的光功率。可广泛用于LED发光器件的生产/制造领域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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