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增加击穿电压的半导体结构及制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810070010.7
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L27/04
  • 申请日期:
    2008-07-22
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第二十四研究所
著录项信息
专利名称增加击穿电压的半导体结构及制造方法
申请号CN200810070010.7申请日期2008-07-22
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2008-12-24公开/公告号CN101330097
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;7;/;0;4查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第二十四研究所申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第二十四研究所当前权利人中国电子科技集团公司第二十四研究所
发明人谭开洲;刘勇;胡永贵;欧宏旗;唐昭焕
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法。本发明结构非常简单,包括半导体材料、主扩散结、耐压层、耗尽终止区和介质层共5个部分。其中,主扩散结、耐压层、耗尽终止区都处于半导体材料中,主扩散结和耐压层的导电类型与半导体材料相反,耗尽终止区与半导体材料的导电类型相同。这种结构可以将主扩散结的击穿电压提高25%以上,能够使主扩散结击穿电压达到半导体材料理想平行平面结最大雪崩击穿电压75%以上。本发明可以应用于数十伏到数千伏的半导体器件结终端中,特别适合浅结低温工艺的高压半导体器件和集成电路的结构及制造。

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