溅射源、溅镀装置、薄膜的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200580025678.4
IPC分类号：C23C14/34;H05B33/10;H01L51/50
申请日期：
2005-12-19
申请人：
株式会社爱发科

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专利名称	溅射源、溅镀装置、薄膜的制造方法
申请号	CN200580025678.4	申请日期	2005-12-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-07-04	公开/公告号	CN1993491
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;H;0;5;B;3;3;/;1;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;0查看分类表>
申请人	株式会社爱发科	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社爱发科	当前权利人	株式会社爱发科
发明人	根岸敏夫;伊藤正博
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	曾祥夌;刘宗杰

摘要

不对有机薄膜造成损伤地在其表面上形成溅镀膜。以遮蔽板103来遮蔽溅射源11～13的框体101的开口，在该开口部107a的两侧配置捕获磁铁1051、1052。在框体101内部配置靶部120，溅镀时，将遮蔽部103连接到接地电位，使电子等负的带电粒子入射到遮蔽部103，而通过了开口部107a的带电粒子则由于捕获磁铁1051、1052形成的磁场而弯曲其飞行方向。在成膜对象物横越溅射源11～13时，带电粒子不入射到成膜对象物表面，因此对有机薄膜的损伤减小。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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