新型NTC热敏电阻烧结匣钵

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200920243349.2
IPC分类号：H01C7/04
申请日期：
2009-11-19
申请人：
四川西汉电子科技有限责任公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	新型NTC热敏电阻烧结匣钵
申请号	CN200920243349.2	申请日期	2009-11-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01C7/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01C 电阻器 H01C7/00 用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器（由疏松的粉末材料或颗粒材料组成的入H01C 8/00；有电位跃变势垒或表面势垒的电阻器，如场效应电阻器入H01L 29/00；对电磁辐射或微粒子辐射敏感的半导体器件，如光敏电阻器入H01L 31/00；磁场控制电阻器入H01L 43/08体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕 H01C7/04 具有负温度系数的	IPC分类号	H;0;1;C;7;/;0;4查看分类表>
申请人	四川西汉电子科技有限责任公司	申请人地址	四川省成都市温江区成都海峡两岸科技开发园柑刘路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川西汉电子科技有限责任公司	当前权利人	四川西汉电子科技有限责任公司
发明人	陶明德;唐本栋;周军有
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型公开了一种新型NTC热敏电阻烧结匣钵，其特征在于，所述新型NTC热敏电阻烧结匣钵为由高温陶瓷制成的方形或圆形结构；所述新型NTC热敏电阻烧结匣钵的底部设置有通风孔，通风孔的总面积为新型NTC热敏电阻烧结匣钵的内底面积的5％。这种匣钵克服了目前NTC热敏电阻芯片烧结时，由于温度的不均匀性和气氛的不平衡导致的产品电阻值和B值的分散性，使用这种新型的NTC热敏电阻烧结匣钵可大大提高产品的良品率，使功率型NTC热敏电阻芯片良品率达到98％以上。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供