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具有多单元阵列的半导体发光器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310067410.3
  • IPC分类号:H01L33/62;H01L33/36
  • 申请日期:
    2013-03-04
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称具有多单元阵列的半导体发光器件
申请号CN201310067410.3申请日期2013-03-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-09-18公开/公告号CN103311420A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/62IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;3;6查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人林璨默;李锺昊;金真焕;申永澈;赵秀玄;李镇贤
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司代理人陈源;张帆
摘要
本发明提供了一种半导体发光器件,包括:衬底;多单元阵列,其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元;多个第一电极和多个第二电极,其形成在每个发光单元中并且具有相反极性;多个互连单元,其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极;以及绝缘层,其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。

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