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NMOS一次可编程器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910057113.4
  • IPC分类号:H01L27/115;H01L29/78
  • 申请日期:
    2009-04-23
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称NMOS一次可编程器件及其制造方法
申请号CN200910057113.4申请日期2009-04-23
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2010-10-27公开/公告号CN101872765A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/115
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IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区川桥路1188号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹NEC电子有限公司当前权利人上海华虹NEC电子有限公司
发明人徐向明;胡晓明;黄景丰;蔡明祥
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人王江富
摘要
本发明公开了一种NMOS一次可编程器件,包括一耦合电容和一NMOS晶体管,耦合电容一端的同NMOS晶体管浮栅的多晶硅层相连,NMOS晶体管的沟道表面有一耗尽层,耗尽层之上为栅介质层,栅介质层之上为浮栅多晶硅层。本发明的NMOS一次可编程器件,可实现用零伏电压读取数据,即可省去读取数据时NMOS晶体管栅极所需要的外围电压转换电路。本发明还公开了该NMOS一次可编程器件的制造方法。

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