一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920110029.3
IPC分类号：H01S5/12;H01S5/223;H01S5/323
申请日期：
2019-01-22
申请人：
陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司

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著录项信息

专利名称	一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构
申请号	CN201920110029.3	申请日期	2019-01-22
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/12 具有周期性结构的谐振腔，例如在分步反馈〔DFB〕激光器里（H01S5/18优先）〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;2;;;H;0;1;S;5;/;2;2;3;;;H;0;1;S;5;/;3;2;3查看分类表>
申请人	陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司	申请人地址	陕西省咸阳市西咸新区沣西新城总部经济园9号楼1311室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陕西源杰半导体科技股份有限公司咸阳分公司	当前权利人	陕西源杰半导体科技股份有限公司咸阳分公司
发明人	刘从军;王兴;张海超;岳宗豪;许众;赵赫;王凡;高晨
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	徐文权

摘要

本实用新型提供的一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构，包括具有P‑InP/N‑InP同质结结构的衬底，该衬底的表面形成有波导结构，该波导结构的两侧波导区分别形成有N‑InP结构，所述N‑InP结构的高度大于波导结构的高度，使得在波导区正上方形成漏斗状结构；本实用新型提供的一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构，包括具有P‑InP/N‑InP同质结结构的衬底，该衬底的表面形成有波导结构，该波导结构的两侧波导区分别形成有N‑InP结构，所述N‑InP结构的高度大于波导结构的高度，使得在波导区正上方形成漏斗状结构。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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