具有碳纳米管发射极的场发射显示器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410056695.1
IPC分类号：H01J31/12;H01J29/02;H01J9/04;H01J1/304;H01J9/02
申请日期：
2004-08-12
申请人：
三星SDI株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有碳纳米管发射极的场发射显示器及其制造方法
申请号	CN200410056695.1	申请日期	2004-08-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-02-16	公开/公告号	CN1581416
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J31/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J31/00 阴极射线管；电子束管（H01J25/00，H01J33/00，H01J35/00，H01J37/00优先；阴极射线管或电子束管的零部件入H01J29/00）〔1，2006.01〕 H01J31/08 带有在其上或由其形成、摄取、变换或存储图像或图形的屏的 H01J31/10 图像或图形显示管，即有电输入和光输出的；用于扫描的飞点管 H01J31/12 带有荧光屏的	IPC分类号	H;0;1;J;3;1;/;1;2;;;H;0;1;J;2;9;/;0;2;;;H;0;1;J;9;/;0;4;;;H;0;1;J;1;/;3;0;4;;;H;0;1;J;9;/;0;2查看分类表>
申请人	三星SDI株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星SDI株式会社	当前权利人	三星SDI株式会社
发明人	崔濬熙;安德烈·朱尔卡尼夫
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	李晓舒;魏晓刚

摘要

提供一种含有碳纳米管发射极的场发射显示器(FED)及其制造方法。围绕CNT发射极的栅极叠层包括覆盖邻近CNT发射极的发射极电极的掩模层，以及形成在掩模层上的栅极绝缘膜、栅电极、第一氧化硅膜(SiOX，X＜2)和聚焦栅电极。第一氧化硅膜的厚度为2μm或更大，并且优选3～15μm。用于形成第一氧化硅膜和/或栅极绝缘膜的硅烷和硝酸的流速分别保持在50～700scmm和700～4，500sccm。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	US5955850A	暂无	1997-08-27	Field emission display device失效专利	Satoshi Yamaguchi;Haruhisa Hirakawa;Kazuhiko Tsuburaya;Masaharu Tomita;Tatsuo Yamamura

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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