III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板

发明专利有效专利

申请号：
CN202011621874.0
IPC分类号：H01L29/201;H01L29/34;H01L29/36;H01L23/31;H01L21/02;C30B29/42;C30B29/40;C30B25/02
申请日期：
2018-05-01
申请人：
住友电气工业株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板
申请号	CN202011621874.0	申请日期	2018-05-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-25	公开/公告号	CN112838122A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/201 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/12 按其构成材料的特征区分的〔2〕 H01L29/20 除掺杂材料或其他杂质外，只包括AⅢBⅤ化合物的〔2，6〕 H01L29/201 包括两种或更多种化合物的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;2;0;1;;;H;0;1;L;2;9;/;3;4;;;H;0;1;L;2;9;/;3;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;4;2;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0;;;C;3;0;B;2;5;/;0;2查看分类表>
申请人	住友电气工业株式会社	申请人地址	日本大阪府大阪市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	住友电气工业株式会社	当前权利人	住友电气工业株式会社
发明人	藤原新也;三好知顕
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	陈海涛;王海川

摘要

本发明涉及III‑V族化合物半导体基板和带有外延层的III‑V族化合物半导体基板。所述III‑V族化合物半导体基板为磷化铟基板，其在主表面上以0.22个粒子/cm2以下的量包含粒度为0.19μm以上的粒子。所述带有外延层的III‑V族化合物半导体基板包含上述III‑V族化合物半导体基板和设置在所述III‑V族化合物半导体基板的主表面上的外延层，并且在所述外延层具有0.3μm的厚度的情况下在所述主表面上以10个缺陷/cm2以下的量包含圆当量直径为0.24μm以上的光点缺陷。所述III‑V族化合物半导体基板能够减少生长在其主表面上的外延层的缺陷。

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