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化合物半导体晶体管与高密度电容器的集成

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201880024649.3
  • IPC分类号:H01L21/8252;H01L23/522
  • 申请日期:
    2018-02-20
  • 申请人:
    高通股份有限公司
著录项信息
专利名称化合物半导体晶体管与高密度电容器的集成
申请号CN201880024649.3申请日期2018-02-20
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-12-06公开/公告号CN110546756A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/8252
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;2;5;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人高通股份有限公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人高通股份有限公司当前权利人高通股份有限公司
发明人杨斌;李夏;陶耿名
代理机构北京市金杜律师事务所代理人董典红
摘要
金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器包括化合物半导体衬底。MIM电容器包括化合物半导体衬底上的集电极接触层、集电极接触层上的第一电介质层、第一电介质层上的导电电极层以及导电电极层上的第二电介质层。MIM电容器包括第二电介质层上的第一导电互连、第一导电互连上的第三电介质层以及第三电介质层上的第二导电互连。第一电容组件包括集电极接触层、导电电极层和第一电介质层。第二电容组件包括第一导电互连、导电电极层和第二电介质层。第三电容组件包括第二导电互连、第一导电互连和第三电介质层。第一电容组件、第二电容组件和第三电容组件彼此并联布置。

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