控制植入工艺的装置及离子植入机

发明专利有效专利

申请号：
CN201680024013.X
IPC分类号：H01J37/08;H01J37/304;H01J37/317;C23C14/48;C23C14/54
申请日期：
2016-04-19
申请人：
瓦里安半导体设备公司

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著录项信息

专利名称	控制植入工艺的装置及离子植入机
申请号	CN201680024013.X	申请日期	2016-04-19
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-01-05	公开/公告号	CN107548514A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/02 零部件 H01J37/04 电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置，如电子光学装置，离子光学装置 H01J37/08 离子源；离子枪	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;0;8;;;H;0;1;J;3;7;/;3;0;4;;;H;0;1;J;3;7;/;3;1;7;;;C;2;3;C;1;4;/;4;8;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4查看分类表>
申请人	瓦里安半导体设备公司	申请人地址	美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号(邮递区号:01930) 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瓦里安半导体设备公司	当前权利人	瓦里安半导体设备公司
发明人	乔治·M·葛梅尔;摩根·D·艾文斯;斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫;诺曼·E·赫西;葛列格里·R·吉本雷洛
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	杨文娟;臧建明

摘要

揭示一种控制植入工艺的装置及一种离子植入机。所述控制植入工艺的装置包括：束扫描器，在非均匀扫描模式期间施加多个不同波形，以产生离子束沿扫描方向的扫描，其中给定波形包括多个扫描区段，其中第一扫描区段包括第一扫描速率且第二扫描区段包括不同于所述第一扫描速率的第二扫描速率；电流探测器，拦截位于基板区之外的所述离子束并记录所述离子束对于给定波形的经测量积分电流；以及扫描调整组件，耦合至所述束扫描器且包括逻辑以用于确定：所述离子束沿所述扫描方向的束宽度何时超过阈值；以及基于所述离子束对于所述多个波形中的至少两个不同波形的所述经测量积分电流来确定多个电流比率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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