银纳米柱-银纳米管复合结构阵列及其制备方法和用途

发明专利有效专利

申请号：
CN202110472939.8
IPC分类号：C23C14/18;C23C14/34;C23C28/02;C25D3/46;G01N21/65;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2021-04-29
申请人：
安徽大学

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专利名称	银纳米柱-银纳米管复合结构阵列及其制备方法和用途
申请号	CN202110472939.8	申请日期	2021-04-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-20	公开/公告号	CN113278923A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/18 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/06 以镀层材料为特征的（C23C 14/04优先）〔4〕 C23C14/14 金属材料、硼或硅〔4〕 C23C14/18 在其他无机物基体上〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;1;8;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;2;8;/;0;2;;;C;2;5;D;3;/;4;6;;;G;0;1;N;2;1;/;6;5;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	安徽大学	申请人地址	安徽省合肥市经开区九龙路111号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安徽大学	当前权利人	安徽大学
发明人	朱储红;刘丹;袁玉鹏;徐更生;严满清;杜海威;江道传;罗娟
代理机构	合肥和瑞知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	魏玉娇

摘要

本发明公开了一种银纳米柱‑银纳米管复合结构阵列及其制备方法和用途。银纳米柱‑银纳米管复合结构阵列由位于银纳米膜上的大量银纳米柱‑银纳米管复合结构单元组成，每个结构单元由银纳米柱、套设在银纳米柱外的银纳米管组成；该产品的制备方法为先在通孔氧化铝模板的一面磁控溅射银，在氧化铝模板孔道顶端形成银纳米管；再在氧化铝模板上原子层沉积氧化铝薄膜、溅射银膜，然后浸入电解液，在氧化铝模板孔道内电沉积银纳米柱，再置于碱溶液中溶解去除氧化铝模板和氧化铝薄膜即可制得。该产品可作为表面增强拉曼散射(SERS)的活性基底来测量其上附着的痕量有机物，能检测出浓度低至10‑13mol/L的罗丹明6G，SERS信号的均匀性和检测灵敏度高。

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