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桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200510011812.7
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2005-05-27
  • 申请人:
    中国科学院物理研究所
著录项信息
专利名称桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
申请号CN200510011812.7申请日期2005-05-27
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2006-11-29公开/公告号CN1870304
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院物理研究所申请人地址
福建省厦门市湖里区厦门火炬高新区创业园轩业楼320室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人晶宇光电(厦门)有限公司当前权利人晶宇光电(厦门)有限公司
发明人贾海强;李卫;李永康;彭铭曾;朱学亮
代理机构北京泛华伟业知识产权代理有限公司代理人王凤华
摘要
本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法,通过金属有机物化学气相沉积生长技术,在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构,经过光刻、淀积、刻蚀、蒸发、剥离等步骤制备,其结构包括:淀积在氮化镓基基片上的至少一片状P电极和至少两个N电极;所述N电极呈点状分布于片状P电极两侧及片状P电极之内;淀积在点状N电极之间的条状绝缘介质层;以及蒸镀在条状绝缘介质层上,并与相应N电极相连接的金属反射薄膜层。可以增加P型区面积,减小结电流密度,提高内、外量子效率,并且芯片有更高的饱和电流,大幅提高了倒装焊LED芯片的发光效率。

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