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半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810144559.6
  • IPC分类号:H01L27/144;H01L21/822
  • 申请日期:
    2008-08-22
  • 申请人:
    恩益禧电子股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN200810144559.6申请日期2008-08-22
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-02-25公开/公告号CN101373782
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/144IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;4;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2查看分类表>
申请人恩益禧电子股份有限公司申请人地址
日本神奈川 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瑞萨电子株式会社当前权利人瑞萨电子株式会社
发明人三浦敏明
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人陆锦华;谢丽娜
摘要
本发明的一个实施方式中,一种半导体器件具有光敏二极管,位于P型衬底上方;NPN晶体管,形成于P型衬底上方;N+型掩埋区,设置在NPN晶体管正下方且被掩埋在P型衬底中以及P+型掩埋区,形成于N+型掩埋区中。

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