半导体装置及半导体装置的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710463571.2
IPC分类号：H01L23/498;H01L21/607
申请日期：
2017-06-19
申请人：
富士电机株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体装置及半导体装置的制造方法
申请号	CN201710463571.2	申请日期	2017-06-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2017-12-29	公开/公告号	CN107527892A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/498 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/498 引线位于绝缘衬底上的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;7查看分类表>
申请人	富士电机株式会社	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富士电机株式会社	当前权利人	富士电机株式会社
发明人	玉井雄大;百濑文彦
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	胡曼

摘要

一种半导体装置及半导体装置的制造方法。能减小外部连接端子和电路板的接合面上的应力。半导体装置(100)具有U端子(161)，U端子(161)的一端侧的内部接合部(161a)与电路板连接，中间部埋设于壳体(110)，另一端侧的外部接合部(161f)从壳体(110)伸出，在壳体(110)内侧和内部接合部(161a)之间设有对内部接合部(161a)的应力进行缓冲的缓冲部(161g)。通过设置这种缓冲部(161g)，即使半导体装置(100)的整体发生形变，或者半导体装置(100)的局部发生形变导致在内部接合部(161a)与电路板之间的接合面发生应力集中，应力也会被该缓冲部(161g)缓冲。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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