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一种制备黑硅方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110050887.1
  • IPC分类号:H01L31/0236
  • 申请日期:
    2011-03-03
  • 申请人:
    苏州大学
著录项信息
专利名称一种制备黑硅方法
申请号CN201110050887.1申请日期2011-03-03
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2012-09-05公开/公告号CN102655179A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0236IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;6查看分类表>
申请人苏州大学申请人地址
江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州大学当前权利人苏州大学
发明人苏晓东;辛煜;邹帅;陈军
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人常亮;李辰
摘要
本发明实施例公开了一种制备黑硅方法,包括以下步骤:对硅片表面进行清洁处理;在硅片表面沉积纳米银颗粒,形成纳米银颗粒掩膜;将具有纳米银颗粒掩膜的硅片进行等离子刻蚀,从而在硅片表面形成纳米陷光结构。由于纳米级银颗粒可减少等离子体刻蚀过程中离子轰击对硅片造成的损伤,并可制得均匀分布的绒面结构层,其具有较低的表面反射率和较高的载流子寿命,因此应用该方法能够在硅片上形成具有很强吸光特性、对光极其敏感的黑硅,同时该方法成本较低,工艺流程简单,且可以直接制备大面积的黑硅,具有较高的制备效率。

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