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“绝缘体上硅”SOI型的基板的修整方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201080006003.6
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2010-03-17
  • 申请人:
    硅绝缘体技术有限公司
著录项信息
专利名称“绝缘体上硅”SOI型的基板的修整方法
申请号CN201080006003.6申请日期2010-03-17
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2011-12-28公开/公告号CN102301464A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人硅绝缘体技术有限公司申请人地址
法国伯尔宁 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人索泰克公司当前权利人索泰克公司
发明人沃尔特·施瓦岑贝格;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒;帕特里克·雷诺;卢多维克·埃卡尔诺;埃里克·内雷
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人李辉;孙海龙
摘要
本发明涉及一种用于绝缘体上硅SOI型的基板(1)的修整方法,所述基板包括在有源硅层(4)和硅支撑层(2)之间埋入的氧化层(3),该方法包括应用修整步骤,所述修整步骤的连续步骤是:a)对所述基板(1)进行快速热退火RTA,b)对有源硅层(4)进行牺牲氧化的步骤,c)对步骤b)后获得的所述基板(1′)进行快速热退火RTA,d)对经历步骤c)的所述基板(1′)的所述有源层进行牺牲氧化的步骤,该方法的特征在于,进行牺牲氧化的步骤b)去除第一氧化物厚度(5),并且进行牺牲氧化的步骤d)去除比所述第一氧化物厚度更薄的第二氧化物厚度。

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