一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202110529082.9
IPC分类号：C30B29/40;C23C16/06;C23C16/24;C23C16/40;C23C16/50;C30B23/00;C30B23/02;C30B29/68;H01L41/18;H01L41/316;H01L41/39
申请日期：
2021-05-14
申请人：
广州市艾佛光通科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用
申请号	CN202110529082.9	申请日期	2021-05-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-01	公开/公告号	CN113463199A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/40 AⅢBv化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;0;;;C;2;3;C;1;6;/;0;6;;;C;2;3;C;1;6;/;2;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0;;;C;3;0;B;2;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;6;8;;;H;0;1;L;4;1;/;1;8;;;H;0;1;L;4;1;/;3;1;6;;;H;0;1;L;4;1;/;3;9查看分类表>
申请人	广州市艾佛光通科技有限公司	申请人地址	广东省广州市黄埔区开源大道136号B2栋1103室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广州市艾佛光通科技有限公司	当前权利人	广州市艾佛光通科技有限公司
发明人	李国强
代理机构	广州容大知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新年

摘要

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括在第一基板上依次生长单晶氧化锌薄膜、单晶氮化铝成核层、单晶氮化铝薄膜；然后在单晶氮化铝薄膜上沉积键合层；将第二基板与键合层键合；最后去除第一基板和氧化锌薄膜。本发明通过生长氧化锌薄膜，降低了氮化铝薄膜与基板之间的晶格失配。采用PLD沉积法，沉积温度低，降低了薄膜制备过程由于热效应造成的缺陷，从而提高了氮化铝薄膜的晶体质量。本发明制备的氮化铝薄膜上方有一层氮化铝薄膜，其可以继续生长氮化铝薄膜，从而控制氮化铝薄膜的厚度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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