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基于结构相似性度量的多晶硅电池片裂纹缺陷检测方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910737874.8
  • IPC分类号:G06F17/50;G06T7/00;G06T5/00;G01N21/88
  • 申请日期:
    2019-08-12
  • 申请人:
    河北工业大学
著录项信息
专利名称基于结构相似性度量的多晶硅电池片裂纹缺陷检测方法
申请号CN201910737874.8申请日期2019-08-12
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-12-27公开/公告号CN110619146A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F17/50IPC分类号G;0;6;F;1;7;/;5;0;;;G;0;6;T;7;/;0;0;;;G;0;6;T;5;/;0;0;;;G;0;1;N;2;1;/;8;8查看分类表>
申请人河北工业大学申请人地址
天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330# 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人河北工业大学当前权利人河北工业大学
发明人刘卫朋;韩达;赵慧芳;黄迪;陈海永
代理机构天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)代理人张国荣
摘要
本发明公开基于结构相似性度量的多晶硅电池片裂纹缺陷检测方法,该方法包括如下步骤:步骤1,结构相似性度量函数设计;步骤2,预处理待检测图像;步骤3,裂纹缺陷提取和定位。与现有技术相比,本发明的检测方法能够增强裂纹缺陷,抑制晶粒,从而提高裂纹缺陷和EL图像背景的对比度,获取一致均匀的背景,实现非均匀纹理背景下裂纹缺陷检测。

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