掺杂半导体层的方法,薄膜半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01805083.2
IPC分类号：--
申请日期：
2001-12-14
申请人：
索尼公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	掺杂半导体层的方法,薄膜半导体器件及其制造方法
申请号	CN01805083.2	申请日期	2001-12-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-03-05	公开/公告号	CN1401134
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	索尼公司	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索尼公司	当前权利人	索尼公司
发明人	町田晓夫;碓井节夫;达拉姆·P·戈塞恩
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波;侯宇

摘要

在优异的控制之下，可以形成一较低浓度杂质扩散区，即使是采用低耐热材料的基底。在掺杂半导体层时，由能量束穿透的例如侧壁(24)的掩模形成在半导体层(21)的表面的一部分，掺杂离子(25)吸附在半导体层表面上未形成掩模的区域，并且一能量束EBL辐射到具有形成的掩模的半导体层(21)上，以将掺杂离子引入到半导体层(21)。在例如侧壁(24)的掩模的较低部分，发生横向的扩散，可以在优异的控制之下以优异的重复性形成较低浓度杂质扩散区域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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