一种花形ZnSe半导体纳米晶的合成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810233749.5
IPC分类号：C30B29/48;C30B29/66;C30B7/14;C30B30/06
申请日期：
2008-12-24
申请人：
云南大学

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专利名称	一种花形ZnSe半导体纳米晶的合成方法
申请号	CN200810233749.5	申请日期	2008-12-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-07-08	公开/公告号	CN101476162
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/48 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/46 含硫、硒或碲的化合物〔3〕 C30B29/48 AⅡBⅥ化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;8;;;C;3;0;B;2;9;/;6;6;;;C;3;0;B;7;/;1;4;;;C;3;0;B;3;0;/;0;6查看分类表>
申请人	云南大学	申请人地址	云南省昆明市五华区翠湖北路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	云南大学	当前权利人	云南大学
发明人	蒋峰芝;侯博;刘拥军;袁波
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明属于一种纳米材料的合成方法，具体为一种花形ZnSe半导体纳米晶的合成方法。在惰性气体保护下，将单质Se加热搅拌或超声溶于TOP中得到Se前体；将锌源体、十八烯和长链烷基胺混合得到Zn前体；先对Zn前体其进行“均一化”处理，然后在惰性气体保护下升温至合成反应温度(300-350℃)；将Se前体快速加入Zn前体中，通过反应一定时间，得到花形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。通过加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物花形ZnSe纳米晶的透明溶液。该方法具有反应体系简单，原料易得，操作简单，环境污染小，结晶度好的优点。

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