加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种大功率平面栅D‑MOSFET结构设计

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710179873.7
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
  • 申请日期:
    2017-03-23
  • 申请人:
    深圳基本半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种大功率平面栅D‑MOSFET结构设计
申请号CN201710179873.7申请日期2017-03-23
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2017-06-20公开/公告号CN106876445A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人深圳基本半导体有限公司申请人地址
广东省深圳市南山区高新区南区南环路29号留学生创业大厦二期22楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳基本半导体有限公司当前权利人深圳基本半导体有限公司
发明人张学强;张振中;和巍巍;汪之涵
代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司代理人江耀纯
摘要
本发明提供一种大功率平面栅D‑MOSFET结构设计,所述平面栅D‑MOSFET为N‑MOS结构或P‑MOS结构,所述N‑MOS结构的P‑阱结构转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构;所述P‑MOS结构的N‑阱结构转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构。所述阶梯状结构降低了P‑阱结构和N‑阱结构转角区域的等效界面曲率,从而降低了该区域的最大电场强度,降低D‑MOSFET内部雪崩击穿的可能性,改善D‑MOSFET的可靠性,并提高D‑MOSFET的整体可用性。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供