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非易失性半导体存储装置的基准电流生成电路

发明专利无效专利

申请号：
CN200610073509.4
IPC分类号：G11C16/26;G11C11/56
申请日期：
2006-04-12
申请人：
株式会社东芝

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	非易失性半导体存储装置的基准电流生成电路
申请号	CN200610073509.4	申请日期	2006-04-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-10-18	公开/公告号	CN1848299
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/26 读出或读电路；数据输出电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;2;6;;;G;1;1;C;1;1;/;5;6查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	本多泰彦
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	岳耀锋

摘要

提供一种非易失性半导体存储装置的基准电流生成电路，其中，基准电流生成电路具有镜比不同的多个电流镜电路，根据流过上述基准存储单元的电流生成多个基准电流。多个检测放大器，根据由基准电流生成电路生成的基准电流检测流过所选择的存储单元的电流。

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