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一种检测半导体设备检测感度的方法和检测系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010938526.X
  • IPC分类号:H01L21/265;H01L21/324;H01L21/66
  • 申请日期:
    2020-09-09
  • 申请人:
    南京晶驱集成电路有限公司
著录项信息
专利名称一种检测半导体设备检测感度的方法和检测系统
申请号CN202010938526.X申请日期2020-09-09
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2020-10-20公开/公告号CN111799159A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/265IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人南京晶驱集成电路有限公司申请人地址
江苏省南京市栖霞区迈皋桥创业园科技研发基地寅春路18号-H1105 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京晶驱集成电路有限公司当前权利人南京晶驱集成电路有限公司
发明人温育杰;李文庆;吴小贤;王曼真;陈晓红
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)代理人林凡燕
摘要
本发明提出一种检测半导体设备检测感度的方法及检测系统,包括:将第一衬底和第二衬底设置在第一半导体设备中;通过所述第一半导体设备分别对所述第一衬底和所述第二衬底进行第一次离子掺杂,以在所述第一衬底和所述第二衬底中形成第一掺杂区;分别对所述第一衬底和所述第二衬底进行第二次离子掺杂,以在所述第一衬底和所述第二衬底中形成第二掺杂区,其中,对所述第一衬底进行的所述第二次离子掺杂通过所述第一半导体设备完成,对所述第二衬底进行的所述第二次离子掺杂通过第二半导体设备完成;对所述第一衬底和所述第二衬底进行退火处理。本发明提出的检测半导体设备检测感度的方法可以检测半导体设备的检测感度。

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