一种碳化硅功率模块

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202221933339.3
IPC分类号：H01L23/12;H01L23/31;H01L23/00;H01L23/10;H01L25/16
申请日期：
2022-07-21
申请人：
深圳市思米半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	一种碳化硅功率模块
申请号	CN202221933339.3	申请日期	2022-07-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/12 安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;1;2;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;1;0;;;H;0;1;L;2;5;/;1;6查看分类表>
申请人	深圳市思米半导体有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区航城街道钟屋社区航城大道北侧领航里程花园15-B-2404 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市思米半导体有限公司	当前权利人	深圳市思米半导体有限公司
发明人	张焕云
代理机构	深圳市世联合知识产权代理有限公司	代理人	何艳梅

摘要

本申请实施例属于电子器件领域，涉及一种碳化硅功率模块。所述碳化硅功率模块包括绝缘基板、电路层、引脚和塑封层；所述电路层设于所述绝缘基板上，所述引脚设于所述电路层上，所述绝缘基板上设有与所述电路层和引脚间隔设置的连接件，所述绝缘基板、连接件、电路层和引脚嵌入所述塑封层内，所述绝缘基板远离所述电路层的表面穿出所述塑封层，所述引脚远离所述电路层的一端穿出所述塑封层。本申请中连接件能够增加绝缘基板与塑封层之间的接触面积，进而增强绝缘基板与塑封料之间的粘合力，避免出现分裂；当外部湿气沿着绝缘基板与塑封层之间的分裂缝隙侵入碳化硅功率模块时被连接件抵挡，连接件延长了湿气浸入的路径，进而提高了产品的可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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