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集成的无源器件和功率放大器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201180045796.7
  • IPC分类号:H01L21/56;G02B26/00
  • 申请日期:
    2011-09-16
  • 申请人:
    高通MEMS科技公司
著录项信息
专利名称集成的无源器件和功率放大器
申请号CN201180045796.7申请日期2011-09-16
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2013-05-22公开/公告号CN103119703A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/56IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;G;0;2;B;2;6;/;0;0查看分类表>
申请人高通MEMS科技公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人追踪有限公司当前权利人追踪有限公司
发明人J·P·布莱克;R·V·夏诺伊;E·P·格瑟夫;A·哈德吉克里斯托;T·A·迈尔斯;J·金;M·F·维伦茨;J-H·J·兰;C·S·罗
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人徐伟
摘要
本公开提供用于将沉积在第一基板上的器件与形成在诸如半导体基板或玻璃基板的第二基板上的集成电路相组合的系统、方法和装置。该第一基板可以是玻璃基板。第一基板可包括传导通孔。功率组合器电路可被沉积在该第一基板的第一侧上。该功率组合器电路可包括沉积在该第一基板的至少该第一侧上的无源器件。该集成电路可包括布置在该功率组合器电路上并且被配置成与该功率组合器电路电连接以形成功率放大系统的功率放大器电路。传导通孔可包括被配置用于传导来自该功率放大系统的热量的热通孔和/或被配置用于该功率放大系统与该第一基板的第二侧上的导体之间的电连接的互连通孔。

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