一种从半导体中去除纳米级颗粒的基质激光清洗方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211263625.8
IPC分类号：B08B7/00;B08B13/00;H01L21/02
申请日期：
2022-10-16
申请人：
江苏筑磊电子科技有限公司

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专利名称	一种从半导体中去除纳米级颗粒的基质激光清洗方法
申请号	CN202211263625.8	申请日期	2022-10-16
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-12-06	公开/公告号	CN115430665A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B08B7/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B0 分离；混合 B08 清洁 B08B 一般清洁；一般污垢的防除（刷子入A46；家庭或类似清洁装置入A47L；颗粒从液体或气体中分离入B01D；固体分离入B03，B07；一般对表面喷射或涂敷液体或其他流体材料入B05；用于输送机的清洗装置入B65G 45/10；对瓶子同时进行清洗、灌注和封装的入B67C 7/00；一般腐蚀或积垢的防止入C23；街道、永久性道路、海滨或陆地的清洗入E01H；专门用于游泳池或仿海滨浴场浅水池或池子的部件、零件或辅助设备清洁的入E04H 4/16；防止或清除静电荷入H05F） B08B7/00 不包含在其他小类或本小类的其他组中的清洁方法	IPC分类号	B;0;8;B;7;/;0;0;;;B;0;8;B;1;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	江苏筑磊电子科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市运河东路555-3908 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏筑磊电子科技有限公司	当前权利人	江苏筑磊电子科技有限公司
发明人	赵振合
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种从半导体中去除纳米级颗粒的基质激光清洗方法，所述处理方法包括如下步骤S1、在真空室中，将需要清理的硅片垂直安装在架子上，并冷却架子；S2、在架子达到所需的温度后，二氧化碳的气流垂直吹于硅片表面，冷凝形成固体薄膜；S3、使用Nd:YAG激光器作为清洁激光器；S4、使用反射仪控制薄膜的厚度，启动激光器开始清洁，完成后升高架子温度，并硅片表面进行吹扫；S5、将架子用液氮冷却，重复步骤S2和步骤S4中的操作，其中固体薄膜由厚变薄，每次减少150nm，至薄膜厚度降为50nm，即可完成清洁。该种从半导体中去除纳米级颗粒的基质激光清洗方法，利用二氧化碳作为基质，在激光的作用下对硅片上不同尺寸的颗粒进行有效的清洗，没有使用液体的同时，可避免对基片造成损伤。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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