腔体预热方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110148235.1
IPC分类号：H01L21/00
申请日期：
2011-06-02
申请人：
无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	腔体预热方法
申请号	CN201110148235.1	申请日期	2011-06-02
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-05	公开/公告号	CN102810456A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡华润上华科技有限公司	当前权利人	无锡华润上华科技有限公司
发明人	陶晟;刘长安;赵强
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	常亮;李辰

摘要

本发明实施例公开了一种腔体预热方法，该方法包括：提供三片晶控片；使所述三片晶控片按顺序依次进入第一腔体、第二腔体和第三腔体内，对所述第一腔体、第二腔体和第三腔体各进行三次预热。本发明所提供的腔体预热方法，由于采用三片晶控片，并使所述三片晶控片按顺序依次进入第一腔体、第二腔体和第三腔体，因此，当第二片晶控片进入第一腔体时，第二腔体并未处于闲置状态，当第三片晶控片进入第一腔体时，第二腔体和第三腔体均未处于闲置状态，因此，本发明所提供的腔体预热方法可减少第二腔体和第三腔体处于闲置状态的时间，进而可缩短工艺流程时间，提高产量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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