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具有肖特基结电极的半导体装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03819519.4
  • IPC分类号:H01L29/47;H01L29/872;H01L21/338;H01L29/812;H01L29/778
  • 申请日期:
    2003-06-17
  • 申请人:
    日本电气株式会社
著录项信息
专利名称具有肖特基结电极的半导体装置
申请号CN03819519.4申请日期2003-06-17
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-09-28公开/公告号CN1675775
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/47IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;7;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;8;;;H;0;1;L;2;9;/;8;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8查看分类表>
申请人日本电气株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人日本电气株式会社当前权利人日本电气株式会社
发明人安藤裕二;宫本广信;冈本康宏;笠原健资;中山达峰;葛原正明
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人汪惠民
摘要
本发明提供一种改善了肖特基结电极的耐热性并且功率性能和可靠性优良的GaN系半导体装置。在具有与AlGaN电子供给层(14)接触的肖特基性栅电极(17)的半导体装置中,栅电极(17)为由Ni、Pt、Pd中任一种所形成的第一金属层(171)、由Mo、Pt、W、Ti、Ta、MoSi、PtSi、WSi、TiSi、TaSi、MoN、WN、TiN、TaN的任何一种所形成的第二金属层(172)、由Au、Cu、Al、Pt中任一种所形成的第三金属层的层叠结构。由于第二金属层的材料是高熔点的,其对第一金属层金属和第三金属层金属的相互扩散起阻挡层作用,并抑制因高温动作导致的栅极特性恶化。由于与AlGaN电子供给层(14)连接的第一金属层金属的功函数大,其肖特基势垒高,能够获得良好的肖特基接触。

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