一种基于Pockels效应的二维表面电荷测量系统及其测量方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110009563.3
IPC分类号：G01R29/14
申请日期：
2011-01-17
申请人：
西安交通大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种基于Pockels效应的二维表面电荷测量系统及其测量方法
申请号	CN201110009563.3	申请日期	2011-01-17
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-09-07	公开/公告号	CN102175931A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R29/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R29/00 不包括在G01R 19/00至G01R 27/00各组中的电量的测量或指示装置 G01R29/12 静电场的测量 G01R29/14 电场分布的测量	IPC分类号	G;0;1;R;2;9;/;1;4查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	穆海宝;张冠军;黄学增;詹江杨
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	陆万寿

摘要

本发明公开了一种基于Pockels效应的二维表面电荷测量系统及其测量方法，该测量系统包括测量核心单元、检偏器和相机，检偏器位于核心测量单元与相机之间；所述测量核心单元由LED平面光源、圆偏振片和Pockels晶体构成，圆偏振片设置在LED平面光源和Pockels晶体之间，Pockels晶体设置在靠近检偏器的一侧；所述Pockels晶体以光学玻璃为衬底，粘贴在光学玻璃的外侧，光学玻璃内侧镀有氧化铟锡透明导电薄膜做为地电极。该方法能够在绝缘材料放电过程中快速动态地记录二维表面电荷的发展过程并同时反演电荷的极性和密度信息，并且该装置结构简单，实现方便，在材料表面放电研究中提供了很好的研究手段。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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