存储器的写入算法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711242526.0
IPC分类号：G11C11/16
申请日期：
2017-11-30
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	存储器的写入算法
申请号	CN201711242526.0	申请日期	2017-11-30
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-13	公开/公告号	CN108806739A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/16 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/16 应用磁自旋效应的存储元件的	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;6查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	池育德;李建毅;吴正洲;邱奕介;史毅骏;威廉·J·加拉格尔
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	蕭輔寬

摘要

本揭露涉及存储器的写入算法。本发明实施例涉及一种用于验证存储器单元(例如非易失性存储器单元)中的写入操作的方法，其包含：执行所述存储器单元的第一读取操作以测量与所述存储器单元相关联的第一电流；和比较与所述存储器单元相关联的所测量的第一电流与第一预定阈值电流以确定所述写入操作是否已改变所述存储器单元的状态。如果与所述存储器单元相关联的所测量的第一电流指示所述写入操作已改变所述存储器单元的状态，那么所述方法进一步包含：执行所述存储器单元的第二读取操作以测量与所述存储器单元相关联的第二电流；且比较与所述存储器单元相关联的所测量的第二电流与第二预定阈值电流以确定所述写入操作是否已将所述存储器单元的状态改变到所要状态或中间状态。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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