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薄膜沉积设备以及掩模单元和坩埚单元

发明专利有效专利

申请号：
CN201110319821.8
IPC分类号：C23C14/24;C23C14/56;C23C14/04
申请日期：
2011-10-18
申请人：
三星移动显示器株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	薄膜沉积设备以及掩模单元和坩埚单元
申请号	CN201110319821.8	申请日期	2011-10-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-16	公开/公告号	CN102453871A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/24 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/24 真空蒸发〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;2;4;;;C;2;3;C;1;4;/;5;6;;;C;2;3;C;1;4;/;0;4查看分类表>
申请人	三星移动显示器株式会社	申请人地址	韩国京畿道龙仁市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星显示有限公司	当前权利人	三星显示有限公司
发明人	金武谦;朴一秀
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	韩明星;薛义丹

摘要

本发明公开了用于执行连续沉积的薄膜沉积设备以及包括在薄膜沉积设备中的掩模单元和坩埚单元。薄膜沉积设备包括：基底移动单元，被构造成移动作为沉积靶材的基底；掩模单元，被构造成选择地将沉积源的蒸气向基底传送；以及坩埚单元，包括容纳沉积源并沿穿过掩模单元的循环路径行进的多个坩埚。

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