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锗硅HBT单管结构、其制造方法及锗硅HBT多指结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110366756.4
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/737;H01L21/331
  • 申请日期:
    2011-11-18
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称锗硅HBT单管结构、其制造方法及锗硅HBT多指结构
申请号CN201110366756.4申请日期2011-11-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-05-29公开/公告号CN103123928A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人周正良;李昊
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种锗硅HBT单管结构,由低掺杂N型外延工艺制备集电区C,其底部由重N型掺杂的埋层引出;基区B由重掺杂硼的锗硅外延层组成;发射区E由淀积在基区上的介质经刻蚀形成窗口,再淀积N型掺杂多晶硅形成;外基区多晶硅下的场氧底部的N型外延通过P型离子注入和高温退火转化为P型区;集电极由深槽接触孔和金属引出。本发明还公开了CBEBE…BEBC或CEBECEBE…CEBEC形式的多指结构。本发明深槽接触孔穿过场氧和N型外延至N型埋层中,两个发射极的间距可极大缩小,降低了器件的集电极电阻,以及集电极对基区和集电极对硅基板的结电容;P型离子注入区与器件外的P型离子注入隔离区不连通,降低了基极-集电极介质电容;多指结构可得到最大输出功率及功率增益。

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