脊形波导半导体激光二极管及其制作方法

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专利名称	脊形波导半导体激光二极管及其制作方法
申请号	CN01124564.6	申请日期	2001-08-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-07-24	公开/公告号	CN1360377
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电机株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	郭准燮;赵济熙
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

提供了一种脊形波导半导体激光二极管及其制作方法。在半导体激光二极管中，其垂直于有源层的脊形突起部分制作在发生受激发射的第一和第二材料层之一上，第一和第二材料层分别形成在有源层的上面和下面，其折射率低于有源层，半导体激光二极管经脊形部分与一个电极接触，其中的脊形部分的侧面至少做成不同梯度的两部分。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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