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允许使用高含锡量焊块的凸块下金属化层

发明专利无效专利

申请号：
CN200580006974.X
IPC分类号：H01L21/60;H01L23/485
申请日期：
2005-03-24
申请人：
英特尔公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	允许使用高含锡量焊块的凸块下金属化层
申请号	CN200580006974.X	申请日期	2005-03-24
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2007-03-14	公开/公告号	CN1930672
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/60 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/60 引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;5查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	J·P·巴奈克;G·B·菲尔德沃特;A·W·H·耶欧;M·方;K·J·李;T-L·黄;H·Y·梁;S·V·萨提拉朱;M·常
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	钱慰民

摘要

制造包括邻接导电焊盘的粘附层、邻接粘附层的含钼阻挡层、邻接含钼阻挡层的润湿层以及邻接润湿层的高含锡量焊接材料的凸块下金属化结构的装置和方法。可将润湿层基本包含于高含锡量焊料中以形成金属间复合层。含铝阻挡层防止高含锡量焊接材料中的锡的移动向邻接导电焊盘的电介质层迁移并可能引起分层和/或腐蚀任何底层结构，尤其是可能存在的铜结构。

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