一种高压低温条件下的多层薄膜电磁特性的测量方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711051302.1
IPC分类号：G01N27/72
申请日期：
2017-10-20
申请人：
金华职业技术学院

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著录项信息

专利名称	一种高压低温条件下的多层薄膜电磁特性的测量方法
申请号	CN201711051302.1	申请日期	2017-10-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-04-10	公开/公告号	CN107894455A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/72 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/72 通过测试磁变量	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;7;2查看分类表>
申请人	金华职业技术学院	申请人地址	浙江省金华市婺州街1188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	金华职业技术学院	当前权利人	金华职业技术学院
发明人	郭强
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及高压物性及薄膜材料特性测量领域，一种高压低温条件下的多层薄膜电磁特性的测量方法，将垫圈置于垫圈架上，用银胶将四根金线的外侧一端分别与四个电极相固定、内侧一端分别与样品的四个角位置处的导电层固定；将圆柱凸台加热到约60摄氏度，推动样品使其与圆柱凸台顶部的凸出部脱离，将垫圈转移到压力实验装置的下顶砧上；将所述垫圈、下顶砧、下支撑台、气体压力单元安装到顶砧外筒内，底座安装到顶砧外筒下方开口处并密封，调节压紧螺丝使顶砧初步压紧；将样品腔整体安装到材料磁性测量装置中，使底座下表面与冷源直接接触，对样品降温；通过导气管将高压氦气充入气体压力单元，对顶砧施加压力；对样品进行电磁特性的测量。

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