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一种用于分析痕量气态单质汞的方法和装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010149372.2
  • IPC分类号:G01N21/64;G01N1/22
  • 申请日期:
    2010-04-15
  • 申请人:
    中国科学院城市环境研究所
著录项信息
专利名称一种用于分析痕量气态单质汞的方法和装置
申请号CN201010149372.2申请日期2010-04-15
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-10-19公开/公告号CN102221540A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N21/64IPC分类号G;0;1;N;2;1;/;6;4;;;G;0;1;N;1;/;2;2查看分类表>
申请人中国科学院城市环境研究所申请人地址
福建省厦门市集美大道1799号中国科学院城市环境研究所 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院城市环境研究所当前权利人中国科学院城市环境研究所
发明人陈进生;徐亚;赵金平;徐玲玲;张福旺;尹丽倩
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种用于分析痕量气态单质汞的方法和装置,属于大气环境监测技术领域。该方法采用程控器控制分析全过程,将采集了大气气态单质汞(GEM)样品的捕汞管置于热解释放器后快速升温,释放的Hg0蒸气经除去携带的酸性组份后,进入二次富集/热解释放器,并被其中的捕汞管二次吸附。之后,二次富集/热解释放器快速升温,二次热解脱附的Hg0蒸气被载气吹入冷原子荧光检测器进行定量检测。本发明装置系统简单,运行可靠,捕汞管所采集的大气气态单质汞(GEM)样品,经过二次富集与热解释后进行分析,可有效地降低仪器的检测限,满足大气GEM痕量分析的要求。

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