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MIM电容及包括该MIM电容的半导体器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201420042258.3
  • IPC分类号:H01L29/92;H01L29/86
  • 申请日期:
    2014-01-22
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称MIM电容及包括该MIM电容的半导体器件
申请号CN201420042258.3申请日期2014-01-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/92
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;9;2;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
北京市大兴区大兴经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人李磊;彭坤;赵连国;王海莲;王峰;呼翔
代理机构上海光华专利事务所代理人李仪萍
摘要
本实用新型提供一种MIM电容及其包括所述MIM电容的半导体器件,其中,所述MIM电容至少包括:介质层,所述介质层为氮化硅层;电极板,至少一电极板为弹性电极板,所述弹性电极板由钽膜、氮化钽膜、钛膜或氮化钛膜中的一种或者几种构成。本实用新型中提供的MIM电容中的弹性电极能改善作为介电层与电极板间的表面态及应力,也不会产生较大的应力,不至于会诱发介电质内部缺陷导致漏电。

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